Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2049876 N. Art. Produtt.:
STGP20H65DFB2 EAN/GTIN:
n.d. |
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| La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,65 V (tip.) @ IC = 20 A. Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 40 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 147 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-220 | Numero pin: | 3 |
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| Altri termini di ricerca: 2049876, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGP20H65DFB2 |
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