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Elettronica, elettrotecnica
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Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
FET di giunzione
>
Articolo
Transistor MOSFET + diodo onsemi, canale N, 9 mΩ, 60 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2052496
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTBS9D0N10MC
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 60 A
Tensione massima drain source = 100 V
Serie = NTB
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 9 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
60 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
NTB
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
9 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
MOSFET
,
fet di giunzione
,
2052496
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTBS9D0N10MC
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a partire da 800 pezzi
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