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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 80 mΩ, 36 A, TO-LL-HV, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2066072
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP50N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.Diodo corpo a recupero rapido RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza Testato con effetto valanga al 100% Robustezza dv/dt estremamente elevata Protezione Zener
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
36 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-LL-HV
Serie:
STP50N60DM6
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
80 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.75V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza, 2066072, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STP50N60DM6
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