Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
3369E-2067206 N. Art. Produtt.:
STGWA100H65DFB2 EAN/GTIN:
n.d. |
| |
|
| | |
| Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 100 A, ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 100 A. Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 145 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 441 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
|
| | |
| | | |
| | | |
| | | Offerte (3) | | |
| | Stato magazzino | Quantità min. | | Spedizione | | | | | | | | | | | | | | Magazzino 3369 | | | | 30 | | Franco domicilio | a partire da € 4,045* | € 5,825* | | | | | | | | | 1 | | € 7,90* | a partire da € 4,03* | € 7,84* | | | | | 4 giorni | | | 1 | | € 14,99* | a partire da € 4,10* | € 8,62* | | | | | | | | | | | | | | | | | Prezzi: Magazzino 3369 | | Quantità di ordine | Netto | Lordo | Unità | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Ordini solo in multipli di 30 pezzi | Quantità minima di ordine: 30 pezzi ( € 174,75* più IVA ) |
|
| | | | | Stato magazzino: Magazzino 3369 | | Spedizione: Magazzino 3369 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | Franco domicilio |
|
| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 3369 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
|
| | | | | | | |
|