Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2067209 N. Art. Produtt.:
STGWA20H65DFB2 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 20 A, ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,65 V (tip.) @ IC = 20 A. Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 40 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 147 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
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