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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 115 A, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-2067212
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGWA75H65DFB2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 75 A ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 75 A. Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
115 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
357 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: 2067212, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGWA75H65DFB2
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