Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2067212 N. Art. Produtt.: STGWA75H65DFB2 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 75 A ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C. Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 75 A. Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 115 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 357 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2067212, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGWA75H65DFB2 |
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