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MOSFET Toshiba, canale N, 2.3 Ω, 100 A, SOP, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2069789
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TPH1R306PL,L1Q(M
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità. È utilizzato principalmente in convertitori c.c.-c.c. ad alta efficienza, regolatori di tensione di commutazione e azionamenti per motori.Bassa resistenza allaccensione drain-source 1,0 m? Temperatura di stoccaggio da -55 a 175 °C.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOP
Serie:
TPH1R306PL
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
2.3 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2069789, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, TPH1R306PL,L1Q(M
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