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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET Vishay, canale N, 0,0069 Ω, 67,5 A, PowerPak SO-8, Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2105006
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SiR882BDP-T1-RE3
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8.MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM) Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM Testato al 100% Rg e UIS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
67,5 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
PowerPak SO-8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0069 Ω
Tensione di soglia gate massima:
1 → 2.3V
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
2105006
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Vishay
,
SiR882BDPT1RE3
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