MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1.66 Ω, 7 A, HiP247, Su foro

MOSFET SiCIl MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza allaccensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SiC, combinate con il contenitore del dispositivo nel contenitore HiP247 proprietario, consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard industriale con una capacità termica notevolmente migliorata.Prestazioni di commutazione ad alta velocità Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto Basse capacità