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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 145 A, canale N, TO247-4


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N. Articolo:
     3369E-2122106
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGW100H65FB2-4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
IGBTLa serie IGBT STMicroelectronics 650 V HB2 rappresenta unevoluzione della Advanced proprietaria Trench gate struttura field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta. Il risultato è un prodotto progettato appositamente per massimizzare lefficienza per unampia gamma di applicazioni rapide.Corrente di coda ridotta al minimo Distribuzione dei parametri rigida Bassa resistenza termica Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
145 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
441 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO247-4
Tipo di canale:
N
Numero pin:
4
Configurazione transistor:
Singolo
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 2122106, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGW100H65FB24
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