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MOSFET Infineon, canale N, 1.4 Ω, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2144402
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPN80R1K4P7ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 4 A
Tensione massima drain source = 800 V
Serie = CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 1.4 Ω
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1.4 Ω
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2144402, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPN80R1K4P7ATMA1
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