Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 3369E-2148789 N. Art. Produtt.: AFGY120T65SPD EAN/GTIN: n.d. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | on Semiconductor serie AFGY è un IGBT con diodo a recupero rapido morbido che offre perdite di conduzione e commutazione molto basse per un funzionamento ad elevata efficienza in varie applicazioni, elevata affidabilità dei transienti e EMI ridotte.Distribuzione dei parametri rigida Elevata impedenza di ingresso Resistenza ai cortocircuiti Co−dotato di diodo a recupero rapido morbido Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 120 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 714 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Tipo di canale: | N | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: 2148789, Semiconduttori, Discreti, IGBT, onsemi, AFGY120T65SPD |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |