MOSFET Infineon, canale N, 0,0118 O, 105 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura desercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale delleffetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per luso in applicazioni automobilistiche e unampia varietà di altre applicazioni.Avanzata tecnologia di processo Resistenza ultra bassa in stato attivo Qualificato per il settore automobilistico