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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0118 O, 105 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2148959
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
AUIRFS4115-7TRL
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
I MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa allaccensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura desercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale delleffetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per luso in applicazioni automobilistiche e unampia varietà di altre applicazioni.Avanzata tecnologia di processo Resistenza ultra bassa in stato attivo Qualificato per il settore automobilistico
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
105 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
D2PAK-7
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
7
Resistenza massima drain source:
0,0118 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2148959
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
AUIRFS41157TRL
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