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MOSFET Infineon, canale P, 0,018 O, 39,6 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2148990
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSZ180P03NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 39,6 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = OptiMOS P3
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,018 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.1V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
39,6 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PQFN 3 x 3
Serie:
OptiMOS P3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,018 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.1V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2148990, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSZ180P03NS3GATMA1
Riepilogo condizioni1
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