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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 1 O, 7,2 A, IPAK (TO-251), Su foro
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2149105
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPS65R1K0CEAKMA2
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. CoolMOS CE è una piattaforma ottimizzata per le prestazioni in termini di prezzo che consente di soddisfare le applicazioni sensibili ai costi nei mercati dei prodotti di consumo e dellilluminazione pur rispettando i più elevati standard di efficienza. La nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida senza sacrificare la facilità duso e offrendo il miglior rapporto costo-prestazioni disponibile sul mercato.Facile da usare/guidare Robustezza di commutazione molto elevata Adatto per applicazioni di livello standard
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,2 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
IPAK (TO-251)
Serie:
CoolMOS™ CE
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1 O
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2149105
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPS65R1K0CEAKMA2
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