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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 2 Ω, 4 A, SOT-223, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2152534
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPN95R2K0P7ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
La serie Infineon 950V Cool MOS™ P7 è progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione. La più recente tecnologia 950V Cool MOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di bloccaggio maggiore di 50V rispetto al suo predecessore 900V Cool MOS™ C3, la serie 950V Cool MOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità duso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V Cool MOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità duso. Cool MOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS (The) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, che lo rende facile da azionare e progettare.FOMRDS(on)*Eoss migliore della categoria Qg, Ciss e Coss ridotti RDS(ON) SOT-223 migliore della categoria Qualità e affidabilità Cool MOS™ migliore della categoria Portafoglio completamente ottimizzato
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
4 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
CoolMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2152534
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPN95R2K0P7ATMA1
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