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MOSFET Infineon, canale N, 0.9 Ω, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2152559
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPU80R900P7AKMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 6 A
Tensione massima drain source = 800 V
Serie = CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0.9 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
IPAK (TO-251)
Serie:
CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0.9 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2152559, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPU80R900P7AKMA1
Riepilogo condizioni1
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