Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 3369E-2156608 N. Art. Produtt.: AIGW40N65H5XKSA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Il transistor bipolare a gate isolato con tecnologia H5 Infineon ad alta velocità offre lefficienza migliore della categoria nelle topologie a commutazione e risonanza difficili.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 74 A | Tensione massima collettore emitter: | 650 V | Tensione massima gate emitter: | ±20 V, ±30 V | Dissipazione di potenza massima: | 250 W | Tipo di package: | PG-TO247-3 | Numero pin: | 3 |
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