Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 3369E-2156629 N. Art. Produtt.: IGB50N60TATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor bipolare a gate isolato a bassa perdita Infineon con tecnologia trenchstop e fieldstop.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica Altre informazioni: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Corrente massima continuativa collettore: | 90 A | Tensione massima collettore emitter: | 600 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 333 W | Tipo di package: | PG-TO263-3 | Numero pin: | 3 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 2156629, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGB50N60TATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |