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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 79 A, PG-TO263-3


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2156655
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKB40N65ES5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Transistor bipolare a gate isolato di quinta generazione della serie di interruttori ad alta velocità Infineon.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
79 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20 V, ±30 V
Dissipazione di potenza massima:
230 W
Tipo di package:
PG-TO263-3
Numero pin:
3
Altri termini di ricerca: 2156655, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKB40N65ES5ATMA1
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