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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 34 A, PG-TO247-3-AI


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2156659
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKFW40N60DH3EXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
La serie di transistor bipolari a gate isolato ad alta velocità Infineon con diodo antiparallelo rapido e morbido in contenitore completamente isolato.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
34 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20 V, ±30 V
Dissipazione di potenza massima:
111 W
Tipo di package:
PG-TO247-3-AI
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Isolato
Altri termini di ricerca: 2156659, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKFW40N60DH3EXKSA1
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