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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, PG-TO247-4


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N. Articolo:
     3369E-2156677
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKZ50N65EH5XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Il transistor bipolare a gate isolato e diodo duopack 650V Infineon è stato copacked con Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
85 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20 V, ±30 V
Dissipazione di potenza massima:
273 W
Tipo di package:
PG-TO247-4
Numero pin:
4
Altri termini di ricerca: 2156677, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKZ50N65EH5XKSA1
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