Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 3369E-2169652 N. Art. Produtt.: TSM033NB04CR EAN/GTIN: n.d. |
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| Corrente massima continuativa di drain = 121 A Tensione massima drain source = 40 V Tipo di package = PDFN56 Numero pin = 8 Resistenza massima drain source = 3,3 m.Ω Modalità del canale = Enhancement Tensione di soglia gate massima = 4V Materiale del transistor = Silicone Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa di drain: | 121 A | Tensione massima drain source: | 40 V | Tipo di package: | PDFN56 | Serie: | TSM025 | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 3,3 m.Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 4V | Materiale del transistor: | Silicone |
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| Altri termini di ricerca: 2169652, Semiconduttori, Discreti, Taiwan Semiconductor, TSM033NB04CR |
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