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Raddrizzatore, diodi, transistori
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Transistori
>
Transistor a effetto campo
>
Articolo
MOSFET Taiwan Semiconductor, 4,8 m.Ω, 107 A, PDFN56
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2169660
Produttore:
Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
TSM048NB06LCR
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di ″transistor a effetto di campo″. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effetto campo”; vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa di drain:
107 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
PDFN56
Serie:
TSM025
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
4,8 m.Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Materiale del transistor:
Silicone
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
2169660
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Taiwan Semiconductor
,
TSM048NB06LCR
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