Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
3369E-2169706 N. Art. Produtt.:
TSM250NB06DCR EAN/GTIN:
n.d. |
| |
|
| | |
| Corrente massima continuativa di drain = 30 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = PDFN56
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 25 m.Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Materiale del transistor = Silicone Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa di drain: | 30 A | Tensione massima drain source: | 60 V | Tipo di package: | PDFN56 | Serie: | TSM025 | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 25 m.Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 4V | Materiale del transistor: | Silicone |
|
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: 2169706, Semiconduttori, Discreti, Taiwan Semiconductor, TSM250NB06DCR |
| | |
| |