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MOSFET Infineon, canale N, 3.7 MO, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2172510
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB80N04S2H4ATMA2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 80 A
Tensione massima drain source = 40 V
Tipo di package = D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 3.7 MO
Tensione di soglia gate massima = 4V
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
CoolMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3.7 MO
Tensione di soglia gate massima:
4V
Altri termini di ricerca: 2172510, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB80N04S2H4ATMA2
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