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MOSFET Infineon, canale N, 2,8 MO, 100 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2172514
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPC100N04S52R8ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Infineon 40V, N-CH, 2,8 MΩ max, MOSFET per uso automobilistico, SS08 (5x6), OptiMOS™-5.OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche Canale N - modalità potenziata - livello normale Certificazione AEC Q101 MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C Temperatura desercizio: 175 °C Prodotto non inquinante (conformità RoHS) Testato al 100% con effetto valanga
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
SuperSO8 5 x 6
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
2,8 MO
Tensione di soglia gate massima:
3.4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2172514, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPC100N04S52R8ATMA1
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