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MOSFET Infineon, canale N, 600 MO, 6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2172530
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPD60R600P7SAUMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 6 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 600 MO
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
600 MO
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2172530, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPD60R600P7SAUMA1
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