Categorie
Forniture per ufficio
Hardware, software, telecomunicazione
Attrezzi e strumenti
Elettronica, elettrotecnica
Arredamento aziendale, allestimento magazzini
Sicurezza sul lavoro
Forniture tecniche e industriali
Prodotti medicali, terapia, laboratorio
Domotica, impiantistica
Materiali per spedizioni e imballaggi
Hotel, gastronomia, alimenti, bevande
Pulizia
Altre categorie
Italia
Italiano
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
My Mercateo
Accedi / Registrati
Accesso
Nuovo cliente?
Registrati ora
>
Profilo
Archivio ordini
Liste degli acquisti
Richieste d'acquisto
Carrello
Pagina iniziale
>
Elettronica, elettrotecnica
>
Componenti elettronici attivi
>
Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
MOSFET
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 900 MO, 6 A, TO-220, Su foro
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2172572
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPP80R900P7XKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità duso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.FOM R DS(on) * e oss migliore della categoria Qg, C ISS e C oss ridotti DPAK R DS(on) migliore della categoria di 280mΩ V (GS)th migliore della categoria di 3V e V (GS)th di variazione minima Di ± 0,5 V. Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM) Qualità e affidabilità migliori della categoria Portafoglio completamente ottimizzato
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
900 MO
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2172572
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPP80R900P7XKSA1
Riepilogo condizioni
1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
a partire da € 0,854*
Il prezzo è valido a partire da 60.000 pezzi
Ordini solo in multipli di 20 pezzi
Scegli condizioni
Consiglia articolo
Aggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
a partire da 20 pezzi
€ 1,352*
€ 1,649
per pezzo
a partire da 40 pezzi
€ 1,28*
€ 1,562
per pezzo
a partire da 100 pezzi
€ 1,148*
€ 1,401
per pezzo
a partire da 200 pezzi
€ 1,066*
€ 1,301
per pezzo
a partire da 400 pezzi
€ 1,056*
€ 1,288
per pezzo
a partire da 500 pezzi
€ 0,984*
€ 1,20
per pezzo
a partire da 60000 pezzi
€ 0,854*
€ 1,042
per pezzo
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
Chi siamo
Assistenza
Area stampa
Lavora con noi
Condizioni generali di contratto
Dati societari
Informativa sulla privacy
RSI
Impostazioni privacy