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MOSFET Infineon, canale N, 21 MO, 9 A, SO-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2172606
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7469TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 9 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 21 MO
Tensione di soglia gate massima = 3V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
21 MO
Tensione di soglia gate massima:
3V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2172606, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF7469TRPBF
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229625
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LP200B
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FK24413D2PAK
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