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MOSFET Infineon, canale N, 13,5 MO, 44 A, PQFN 5 x 6, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2172614
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFH8334TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 44 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 13,5 MO
Tensione di soglia gate massima = 2.35V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
44 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PQFN 5 x 6
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
13,5 MO
Tensione di soglia gate massima:
2.35V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 2172614, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFH8334TRPBF
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