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MOSFET Infineon, canale N, 8,2 MO, 86 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2172621
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFR3709ZTRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 86 A
Tensione massima drain source = 30 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 8,2 MO
Tensione di soglia gate massima = 2.25V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
86 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8,2 MO
Tensione di soglia gate massima:
2.25V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2172621, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFR3709ZTRPBF
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