Categorie
Forniture per ufficio
Hardware, software, telecomunicazione
Attrezzi e strumenti
Elettronica, elettrotecnica
Arredamento aziendale, allestimento magazzini
Sicurezza sul lavoro
Forniture tecniche e industriali
Prodotti medicali, terapia, laboratorio
Domotica, impiantistica
Materiali per spedizioni e imballaggi
Hotel, gastronomia, alimenti, bevande
Pulizia
Altre categorie
Italia
Italiano
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
My Mercateo
Accedi / Registrati
Accesso
Nuovo cliente?
Registrati ora
>
Profilo
Archivio ordini
Liste degli acquisti
Richieste d'acquisto
Carrello
Pagina iniziale
>
Elettronica, elettrotecnica
>
Componenti elettronici attivi
>
Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0073 Ω, 114 A, TO 263, Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2183031
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPB073N15N5ATMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOS™5. I MOSFET di potenza OptiMOS™ 5 150V di Infineon sono particolarmente adatti per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori e scooter elettrici, nonché per applicazioni di telecomunicazione e solari.Prodotto con uneccellente carica di gate RDS(on) (FOM) RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo Carica di recupero inverso molto bassa (Qrr) Temperatura desercizio: 175 °C Placcatura senza piombo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
114 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
TO 263
Serie:
OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0073 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4.6V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2183031
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPB073N15N5ATMA1
Riepilogo condizioni
1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
a partire da € 2,501*
Il prezzo è valido a partire da 15.000 pezzi
Ordini solo in multipli di 5 pezzi
Scegli condizioni
Consiglia articolo
Aggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
a partire da 5 pezzi
€ 4,464*
€ 5,446
per pezzo
a partire da 10 pezzi
€ 4,002*
€ 4,882
per pezzo
a partire da 25 pezzi
€ 3,495*
€ 4,264
per pezzo
a partire da 50 pezzi
€ 3,208*
€ 3,914
per pezzo
a partire da 100 pezzi
€ 3,138*
€ 3,828
per pezzo
a partire da 125 pezzi
€ 2,891*
€ 3,527
per pezzo
a partire da 15000 pezzi
€ 2,501*
€ 3,051
per pezzo
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
Chi siamo
Assistenza
Area stampa
Lavora con noi
Condizioni generali di contratto
Dati societari
Informativa sulla privacy
RSI
Impostazioni privacy