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Raddrizzatore, diodi, transistori
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Transistori
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Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,28 Ω, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzi
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2183051
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IPD60R280P7SAUMA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet 12a
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N serie Infineon CoolMOS™ P7 600V. Ha perdite di conduzione e commutazione estremamente basse che rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, compatte e molto più fredde.Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione Adatto per la commutazione dura e morbida
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
CoolMOS™ P7
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,28 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
2183051
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IPD60R280P7SAUMA1
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