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MOSFET Infineon, canale P, 0,29 Ω, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183098
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF6215STRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 13 A
Tensione massima drain source = 150 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,29 Ω
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
13 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,29 Ω
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183098, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF6215STRLPBF
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