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MOSFET Infineon, canale N, 1.3 Ω, 6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2183116
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFR825TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in UPS, SMPS ecc.La minore carica di gate semplifica i requisiti di azionamento. La soglia di tensione di gate superiore offre una maggiore immunità ai disturbi.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1.3 Ω
Tensione di soglia gate massima:
5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2183116, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFR825TRPBF
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