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Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, EASY2B


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2184358
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FP75R12KT4PBPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Corrente massima continuativa collettore = 75 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = 20V
Dissipazione di potenza massima = 20 mW
Tipo di package = EASY2B
Tipo di canale = N
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
20 mW
Numero di transistor:
7
Tipo di package:
EASY2B
Tipo di canale:
N
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, 2184358, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FP75R12KT4PBPSA1
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