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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 75 A, canale N, TO-247
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2184391
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IGW75N65H5XKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
La tecnologia TRENCHSTOP IGBT5 Infineon ridefinisce i migliori IGBT della categoria, il che si traduce in una temperatura di giunzione e contenitore più bassa, sinonimo di maggiore affidabilità del dispositivo, fornendo prestazioni senza precedenti in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione difficili. Ha una tensione del collettore-emettitore di 650 V e una corrente del collettore di 120 A.Maggiore densità di potenza 50V aumento della tensione del bus possibile senza compromettere laffidabilità Coefficiente di temperatura positivo moderato
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
75 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
395 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
2184391
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IGW75N65H5XKSA1
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