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Transistor di potenza
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Articolo
IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2184395
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IHW30N135R5XKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
IGBT a conduzione inversa serie IHW Infineon con diodo integrato monoliticamente in un contenitore TO-247 che si concentra sullefficienza e laffidabilità del sistema per i requisiti più esigenti della cottura a induzione. Ha una tensione del collettore-emettitore di 1350 V e 30 A di corrente del collettore.Maggiore frequenza di commutazione La più bassa dissipazione di potenza Migliore gestione termica per una maggiore affidabilità Requisiti di filtraggio EMI inferiori Riduzione dei costi di sistema Massima affidabilità contro la corrente di Peak
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
30 A
Tensione massima collettore emitter:
1350 V.
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
330 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-247
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
IGBT
Altri termini di ricerca:
Transistori
,
Transistore
,
transistor igbt
,
2184395
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
IGBT
,
Infineon
,
IHW30N135R5XKSA1
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