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MOSFET STMicroelectronics, 0,7 O., 36 A, HiP247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2194228
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     SCTW40N120G2V
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando lAdvanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza allaccensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.Capacità di temperatura di giunzione desercizio molto elevata (TJ = 200 °C) Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa di drain:
36 A
Tensione massima drain source:
1200 V
Tipo di package:
HiP247
Serie:
SCTW40N
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,7 O.
Tensione di soglia gate massima:
4.9V
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 2194228, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, SCTW40N120G2V
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