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Articolo
Diodo raddrizzatore e Schottky STMicroelectronics, Montaggio superficiale, 10A, 1200V, D2PAK HV
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2194231
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STPSC10H12G2-TR
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Raddrizzatori
Raddrizzatore
Il diodo SiC da 10 A, 1200 V STMicroelectronics è diodo di potenza Schottky a prestazioni ultra-elevate. Viene prodotto utilizzando un substrato di carburo di silicio. Il materiale con ampio spazio di banda consente la progettazione di una struttura diodo Schottky con un valore nominale di 1200 V. A causa della struttura Schottky non viene indicato un recupero allo spegnimento e i tipi di oscillazione sono trascurabili. Il comportamento allo spegnimento capacitivo minimo è indipendente dalla temperatura. Alloggiato in D2PAK HV, questo diodo è perfettamente adatto per luso in applicazioni PFC, in OBC, c.c./c.c. per EV, agevolando la conformità a IEC-60664-1. Il modello STPSC10H12G2-TR potenzia le prestazioni in condizioni di commutazione difficili. La sua elevata capacità di sovracorrente diretta assicura una buona robustezza durante le fasi transitorie.Nessun recupero inverso o trascurabile Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura Robusta periferia ad alta tensione Tj desercizio da -40 °C a 175 °C Bassa VF D²PAK distanza di dispersione HV (anodo-catodo) = 5,38 mm min. Conforme a ECOPACK2
Altre informazioni:
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di package:
D2PAK HV
Corrente massima continuativa di forward:
10A
Picco della tensione ripetitiva inversa:
1200V
Configurazione diodi:
Singolo
Numero pin:
2
Numero di elementi per chip:
1
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Diodi Schottky e rettificatori
Altri termini di ricerca:
Diodo raddrizzatore
,
Diodi raddrizzatori
,
Diodo SMD
,
Diodo Schottky
,
diodo smd
,
2194231
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Diodi Schottky e rettificatori
,
STMicroelectronics
,
STPSC10H12G2TR
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