Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0083 O, 105 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 105 A
Tensione massima drain source = 150 V
Serie = OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 0,0083 O
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.9V
Numero di elementi per chip = 1