Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,009 O, 77 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strong IRFET è ottimizzata per bassa resistenza RDS(ON) e capacità di corrente elevata. I dispositivi sono ideali per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. La gamma completa soddisfa unampia gamma di applicazioni, tra cui motori c.c., sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori c.c.-c.c.Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione Qualifica del prodotto in conformità allo standard JEDEC Contenitore per montaggio superficiale standard industriale Silicio ottimizzato per le applicazioni con commutazione al di sotto

Altre informazioni:

Tipo di canale:	N
Corrente massima continuativa di drain:	77 A
Tensione massima drain source:	40 V
Tipo di package:	DPAK (TO-252)
Serie:	HEXFET
Tipo di montaggio:	Montaggio superficiale
Numero pin:	3
Resistenza massima drain source:	0,009 O
Modalità del canale:	Enhancement
Tensione di soglia gate massima:	20V
Numero di elementi per chip:	2