Modulo driver IGBT NCD57090BDWR2G, 6,5 A, 22V, SOIC, 8-Pin

I modelli NCD57090 on Semiconductor sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per unelevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.Elevata immunità ai transienti Elevata immunità elettromagnetica Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso