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MOSFET onsemi, canale N, 0,00062 Ω, 433 A, DFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2216726
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTMFS0D6N03CT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Il MOSFET di potenza 30V on Semiconductor ha utilizzato 433 A di corrente di drain con canale N−singolo. Migliora la gestione della corrente di spunto e migliora anche lefficienza del sistema.Pacchetto Advanced (5x6mm) RDS(ON) ultra bassa per migliorare lefficienza del sistema
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
433 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
DFN
Serie:
NTMFS0D6N
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
0,00062 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.2V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2216726, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NTMFS0D6N03CT1G
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