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MOSFET onsemi, canale N, 0,0011 Ω, 268 A, DFN, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2216756
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFS5C420NT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 268 A
Tensione massima drain source = 40 V
Serie = NVMFS5C
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 5
Resistenza massima drain source = 0,0011 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
268 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DFN
Serie:
NVMFS5C
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
0,0011 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2216756, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMFS5C420NT1G
Riepilogo condizioni1
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