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MOSFET Infineon, canale N, 1.2 Ω, 9,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2224687
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPN70R1K2P7SATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 9,4 A
Tensione massima drain source = 700 V
Serie = CoolMOS™
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 1.2 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 3.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
9,4 A
Tensione massima drain source:
700 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
CoolMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1.2 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2224687, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPN70R1K2P7SATMA1
Riepilogo condizioni1
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