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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, canale N, AG-62MM


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N. Articolo:
     3369E-2224794
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FF600R12KE4BOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
transistor di potenza
Modulo IGBT doppio Infineon da 62 mm 1200 V, 600 A con TRENCHSTOP™ IGBT4 e diodo controllato da emettitore. Disponibile anche come variante con emettitore comune:FF600R12KE4_E.Conformità RoHS Isolamento 4 kV c.a. 1 min Pacchetto con CTI > 400 Distanza elevata tra età controllata e spazio libero Certificazione UL/CSA con UL1557 E83336
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
600 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
20V
Dissipazione di potenza massima:
1,2 kW
Configurazione:
Dual
Tipo di package:
AG-62MM
Tipo di canale:
N
Configurazione transistor:
Emettitore comune
Altri termini di ricerca: 2224794, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FF600R12KE4BOSA1
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