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MOSFET Infineon, canale N, 180 m.Ω, 18 A, TO-220 FP, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2224887
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB60R040CFD7ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 18 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = CoolMOS™
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 180 m.Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
18 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-220 FP
Serie:
CoolMOS™
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
180 m.Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2224887, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB60R040CFD7ATMA1
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