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MOSFET Infineon, canale N, 55 m.Ω, 38 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2224889
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPB60R055CFD7ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 38 A
Tensione massima drain source = 600 V
Serie = CoolMOS™
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 55 m.Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.5V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
38 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
CoolMOS™
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
55 m.Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: 2224889, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPB60R055CFD7ATMA1
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